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RFG60P06E中文资料

  • 大小：65.36KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：60A, 60V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：60 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247
  • 下降时间：20 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：215 W
  • 上升时间：60 ns
  • 典型关闭延迟时间：65 ns

RFG60P06E供应商

更新时间:2023-04-03 20:46:28
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